DM648的S29GL256 flash烧写程序

#include 
#include 
#include 

//#define Buffer_Num 4096		//	 0000H-1FFFFH for S29Gl256数据宽度16bit
#define Buffer_Num 2048	//	 0000H-FFFFH  for S29Gl256数据宽度16bit
#define Buffer_Size 32		//	 S29Gl256最大写入缓冲字数=32
#define	FlashbaseAddr		0xA0000000	/* 16Mbytes Flash */

#define EMIFB_baseCTRL_ADDR （0x70000000）
#define EMIFB_CE2CFG   （*（int*）（EMIFB_baseCTRL_ADDR + 0x00000080））
#define EMIFB_CE3CFG   （*（int*）（EMIFB_baseCTRL_ADDR + 0x00000084））
#define EMIFB_AWCC     （*（int*）（EMIFB_baseCTRL_ADDR + 0x000000A0））



void delay（unsigned int delaytime）	  
{
	unsigned short ij;
 	for（i=0;i		for（j=0;j<0x40;j++）;
}

//擦除一个段，需要加上段地址号
void EraseOneSector（unsigned int sector）
{
	volatile short *FlashAddr;
	FlashAddr = （volatile short *）FlashbaseAddr;
	if （sector>=256） sector=0;
	FlashAddr[0x0555] = 0x00AA;
	FlashAddr[0x02AA] = 0x0055;
	FlashAddr[0x0555] = 0x0080;
	FlashAddr[0x0555] = 0x00AA;
	FlashAddr[0x02AA] = 0x0055;
	FlashAddr[sector] = 0x30;
	delay（2000）;
}


unsigned short Sector_Buf[256];
char BinFileName[80];


void main（）
{
	unsigned int ij;
	int size;
	volatile short *FlashAddr;
	FILE * fp;
	unsigned short pollsector_numsector;
	unsigned int EraseError=0;

       // Configure async EMIF 16 bits max wait cycles
//	EMIFB_CE2CFG = 0x00310181;
	EMIFB_CE2CFG = 0x0FFFFFFD;
	EMIFB_CE3CFG = 0x0FFFFFFD;
        // Adjust TA for flash mem
	EMIFB_AWCC = 0x40000380;
	
	delay（100）;
	FlashAddr = （volatile short *）FlashbaseAddr;
	FlashAddr[0]=0x00F0;		/* Write Software reset command to reset Flash */

/********檫除flash段***********/
	sector_num=Buffer_Num>>11;
	for（sector=0; sector