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烧结温度对SiO2-TiO2薄膜亲水性的影响， 夏添，郭宪英，为了确定SiO2-TiO2薄膜制备过程的最佳烧结温度，实验将不同SiO2与TiO2掺杂比的样品分别在400°和500°下煅烧，然后进行与水的静态接触角测
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