未来轻子对撞机中希格斯玻色子的线形

计算了光子发射（初始状态辐射）在希格斯玻色子的直接生产过程的横截面中对未来高发光度电子和μ子对撞机的影响。 已经发现，对于电子对撞机，希格斯玻色子共振峰的顶部的横截面减小了0.348倍，对于μ子对撞机减小了0.548倍。 4.2 MeV（等于希格斯宽度）的质心能量的质心能量散布将使电子和μ子束的峰截面进一步减小0.170和0.256（QED和能量散布） 分别。 讨论了恢复QED计算中可能存在的不确定性。 提供了包括QED在内的线形横截面的数值结果以及许多质心能量散布值。