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这项研究集中在以地震质量结束的多孔硅双层悬臂上硅的机械响应。 多孔硅旨在为降低低频MEMS应用的悬臂刚度提供替代方案。 悬臂的第一本征频率是使用在经典Euler-Bernoulli假设和瑞利方法下获得的静态挠度获得的。 为了估计由于小应变近似和Euler-Bernoulli理论引起的误差,通过针对不同悬臂几何形状和孔隙率的3D有限元模拟对分析结果进行了验证。 都制造了块状硅和多孔硅双层悬臂梁,并以地震质量结束,我们使用激光多普勒振动计测量了第一本征频率(f0)和品质因数(Q)。 与理论预测相符,我们发现,与块状硅悬臂梁相比,在94%块状硅上包含6%多孔硅(孔隙度为50%)的双层悬臂梁的第一本征
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