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BiCMOS带隙基准电压源的设计及应用 0

编程语言：其他大小：金币：上传人：pppxxx 发布日期：2021-06-17

基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺，设计了应用于一款“10-Gbps 跨阻放大器（TIA）”芯片的带隙基准电压源。该带隙基准电压源工作在3.0 V～3.6 V的电源电压下，输出基准参考电压为1.2 V，温度系数

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